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J-GLOBAL ID：200903082629717740

基板を有する半導体ウェーハからレジストを除去する方法及びレジスト除去装置

Inventor： シン - プー イェング
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995115905
Publication number (International publication number)：1996045914
Application date： May. 15, 1995
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板を有する半導体ウェーハから低温で異方性プラズマを用いてレジストを除去するレジスト除去方法及び装置を提供する。【構成】 酸素プラズマ発生器(28)を含む反応器(26)内に半導体ウェーハ(10)を配置する。酸素プラズマ発生器(28)から異方性酸素プラズマ(32)を放出させ、バイアスされ、フォトレジスト層(22)を露出させている半導体ウェーハ(10)に引き付ける。センサ(30)がレジストのアッシングが完了した時を検出し、次に酸素プラズマ発生器(28)を遮断する。

Claim (excerpt)：

基板を有する半導体ウェーハからレジストを除去するレジスト除去方法において、前記基板をポリマ誘電体層で被覆する工程と、前記ポリマ誘電体層上に無機層を塗布する工程と、前記無機層上にレジスト層を塗布する工程と、前記レジスト層をパターニングする工程と、前記無機層をエッチングする工程と、前記レジストを異方性酸素プラズマによりアッシングする工程とを含むレジスト除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 E