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J-GLOBAL ID：200903082637757107

超伝導体装置

Inventor： 杉浦 禎彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992187747
Publication number (International publication number)：1994037513
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】周囲温度が臨界温度以上に上昇しても致命的な特性劣化に判らない超伝導体装置を提供する。【構成】線路導体を超伝導体薄膜4,高耐熱性金属薄膜5,高導電率金属薄膜6の3層構造を有する薄膜導体系により構成し、周囲温度が上昇して超伝導体薄膜4が絶縁物になっても高導電率金属薄膜6の働きで若干の特性劣化にとどめる。

Claim (excerpt)：

誘電体基板上に超伝導体、高耐熱性金属および高導電率金属を順次重ねた3層構造を有する薄膜導体で回路パターンを形成したことを特徴とする超伝導体装置。

IPC (2)：

H01P 3/08 ZAA ,  H01P 1/203 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-149916
  
• 特開平4-097902
  
• 特開平1-105412