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J-GLOBAL ID：200903082641178553

集束用突条を備えた電界放出構造

Inventor： スピント、クリストファー・ジェイ ,  コーコラン、パトリック・エイ
Applicant, Patent owner： シリコン・ビデオ・コーポレイション
Agent (1)： 大島 陽一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995520078
Publication number (International publication number)：1997512381
Application date： Jan. 30, 1995
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：

【要約】ゲート制御式電界放出構造が、エミッタ電極(46)、上層をなす電気的絶縁性層(48)、この絶縁性層を貫通して延在する1または2以上の開口部分内に設置された1または2以上の電子放出性素子(52)を有する。電子放出性素子は、絶縁性層の更に上層をなすパターニングされたゲート電極(50)を通して露出されている。集束用突条(54)は、ゲート電極を挿んで両側の絶縁性層上に設置されている。集束用突条は、通常ゲート電極より高く延出しており、放出された電子を狭帯域に集束させる役目を果たす。

Claim (excerpt)：

エミッタ電極と、 前記エミッタ電極上に設けられた電気的に絶縁性の絶縁性層と、 前記絶縁性層を貫通し前記エミッタ電極に達するまで延在する形で設けられた少なくとも1つの開口部分内に設置された、少なくとも1つの電子放出性素子からなる電子放出性素子の組であって、各電子放出性素子が前記エミッタ電極に接続している、該電子放出性素子の組と、 前記絶縁性層の上層をなすゲート電極であって、少なくとも1つの開口部が前記ゲート電極を貫通する形で設けられて各前記電子放出性素子を露出する、該ゲート電極と、 前記絶縁性上で、前記ゲート電極を挿んで、前記ゲート電極から横向きに離隔された形で設置された一対の集束用突条であって、前記集束用突条が、各前記電子放出素子から放出された電子の軌跡を制御するのに十分な程度には、前記ゲート電極に近づけられて設けられている、該一対の集束用突条とを有することを特徴とする構造。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 29/58 ,  H01J 31/12

FI (3)：

H01J 1/30 F ,  H01J 29/58 A ,  H01J 31/12 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-208241
  
• 画像表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-261699   Applicant：凸版印刷株式会社
• 特表平5-505906