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J-GLOBAL ID：200903082641437885
薄膜形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991217601
Publication number (International publication number)：1993140751
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 基板に対する膜付着力を向上できる薄膜形成装置を提供する。【構成】 薄膜形成装置は、プラズマを発生させるプラズマ室1と、基板に成膜処理を行われる反応室6と、珪素を含むガスと炭化水素系ガスとを反応室6に導入するとともに、基板7上に炭化珪素膜が形成されるように両ガスの各流量を制御するマスフローコントローラとを備えている。
Claim (excerpt)：
マイクロ波の導入により電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ室と、基板が保持されるとともに、前記プラズマ室に発生したプラズマが導入されることにより前記基板に成膜処理が行われる反応室と、珪素を含むガスと炭化水素系ガスとを前記反応室に導入するとともに、前記基板上に炭化珪素膜が形成されるように前記両ガスの各流量を制御するガス導入制御手段と、を備えた薄膜形成装置。
IPC (4)：
C23C 16/50
, C30B 25/14
, H01L 21/31
, C23C 14/35
