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J-GLOBAL ID：200903082656107199

半導体多層膜反射鏡

Inventor： 坂 貴 ,  廣谷 真澄 ,  加藤 俊宏 ,  諏澤 寛源
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991181833
Publication number (International publication number)：1993003343
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】 n-AlAs半導体およびn-GaAs半導体を交互に積層した半導体多層膜反射鏡において、それ等のn-AlAs半導体およびn-GaAs半導体の厚さをTA ,TG 、屈折率をnA ,nG 、反射すべき光の中心波長をλB とした時、光学的厚さ(nA TA +nG TG )をλB /2に保持しつつ、光学的厚さnG TG をλB /4より小さくするとともに、その分だけ光学的厚さnA TAをλB /4より大きくした。【効果】 nG TG =λB /4の(a)に比較して、nG TG =(λB /4)×(3/4)の(b),nG TG =(λB /4)×(1/2)の(c),nG TG =(λB /4)×(1/3)の(d)では、中心波長λB (=880nm)よりも短波長側の波長域Qにおける反射率が向上している。

Claim (excerpt)：

バンドギャップが異なる第1半導体および第2半導体が重ね合わされた単位半導体層が繰り返し積層されて、入射した光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡において、前記第1半導体の屈折率をn<SB>1 </SB>、膜厚をT<SB>1 </SB>とし、第2半導体の屈折率をn<SB>2 </SB>、膜厚をT<SB>2 </SB>とした時、前記単位半導体層の光学的厚さ(n<SB>1 </SB>T<SB>1</SB>+n<SB>2 </SB>T<SB>2 </SB>)は、反射すべき光の中心波長λ<SB>B </SB>に対して次式(1)の関係を有し、n<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB>+n<SB>2 </SB>T<SB>2 </SB>=λ<SB>B </SB>/2 ・・・(1)且つ、該第1半導体および第2半導体のうちバンドギャップが小さい第1半導体の光学的厚さn<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB>は、前記波長λ<SB>B </SB>に対して次式(2)を満足するn<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB><λ<SB>B </SB>/4 ・・・(2)ことを特徴とする半導体多層膜反射鏡。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18