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J-GLOBAL ID：200903082656734150
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994036903
Publication number (International publication number)：1995245317
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 材料依存性を有することなく、複雑な加工工程を要することなく、外部ベース・コレクタ容量を小さくすることができ、高速動作のHBTを提供すること。【構成】 半絶縁性InP基板11上に形成されたn型InGaAsコレクタ層13と、コレクタ層13上に形成されたp+ 型InGaAsベース層14と、ベース層14上の一部に凸型に形成されたn型InAlAsエミッタ層15と、ベース層14上にエミッタ層15を囲むように形成されたベース電極17と、ベース電極17を覆うように形成されたポリイミド樹脂層20とを備えたHBTにおいて、ポリイミド樹脂層20をマスクにベース層14及びコレクタ層13がエッチング除去され、且つコレクタ層13はベース電極17の外周端よりも内側まで除去されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された第1導電型のコレクタ層と、このコレクタ層上に形成された第2導電型のベース層と、このベース層上の一部に凸型に形成された第1導電型のエミッタ層と、前記ベース層上に前記エミッタ層を囲むように形成されたベース電極と、このベース電極を覆うように形成されたポリイミド樹脂層とを具備してなり、前記ポリイミド樹脂層をマスクに前記ベース層及びコレクタ層がエッチング除去され、且つ前記コレクタ層は前記ベース電極の外周端よりも内側まで除去されてなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
