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J-GLOBAL ID：200903082662521304

多層炭素ナノチューブフィルム

Inventor： ダイ、ライミン ,  ファン、シャオミン
Applicant, Patent owner： コモンウエルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000612216
Publication number (International publication number)：2002542136
Application date： Apr. 14, 2000
Publication date： Dec. 10, 2002
Summary：

【要約】本発明は、(a) ナノチューブの形成に適する触媒の存在下にて炭素含有材料の熱分解によって石英ガラス基材上に整列した炭素ナノチューブの層を合成し、(b) ナノチューブ/基材界面で石英ガラス基材をエッチングして、基材から上記の整列したナノチューブの層を解放することを含んでなる、基材不含の整列したナノチューブフィルムの製造法に関する。本発明のもう一つの態様では、基材不含炭素ナノチューブフィルムを別のナノチューブフィルムに付着させることを含んでなる多層の炭素ナノチューブフィルムの製造法が提供される。更にもう一つの本発明の態様では、1以上の炭素ナノチューブ層を金属、半導体およびポリマーのような他の材料の層と共に含む「ヘテロ構造」の多層炭素ナノチューブフィルムの製造法が提供される。

Claim (excerpt)：

(a) ナノチューブの形成に適する触媒の存在下にて炭素含有材料の熱分解によって石英ガラス基材上に整列した炭素ナノチューブの層を合成し、 (b) ナノチューブ/基材界面で石英ガラス基材をエッチングして、基材から上記の整列したナノチューブの層を解放することを含んでなる、基材不含の整列したナノチューブフィルムの製造法。

IPC (2)：

C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127

FI (2)：

C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127

F-Term (12)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC01 ,  4G046CC02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4L037CS04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA06 ,  4L037UA04 ,  4L037UA15