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J-GLOBAL ID：200903082669947668
半導体装置の製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014679
Publication number (International publication number)：1993206009
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板裏面に付着する異物を大幅に軽減すると共に、密着式ホットプレートを使用した従来装置と同様の安定な特性を維持する。【構成】 気密チャンバー2に格納されたホットプレート1と、ホットプレート1上の基板6を露光する紫外線照射装置9と、気密チャンバー2内にホットプレート1の表面と同じ温度に調整された高純度窒素ガスを吸気口10より供給して、内部の空気を排気口11より排気する機構とを備える。ホットプレート1の表面に支柱5を備え、基板6の裏面とホットプレート1の表面との間隙を約100μmに保つ。
Claim (excerpt)：
気密チャンバーと、前記気密チャンバーに納められたホットプレートと、前記ホットプレートで、前記ホットプレートの表面温度と同じ温度に調整された不活性ガスを密閉された前記気密チャンバーに供給する装置と、排気装置と、前記ホットプレートの表面上に置かれた基板を露光する紫外光照射装置とを備えた半導体装置の製造装置。
FI (2)：
H01L 21/30 311 S
, H01L 21/30 361 H
