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J-GLOBAL ID：200903082673489860

電界放出型陰極

Inventor： 木村 親夫 ,  玉井 秀昭 ,  佐藤 恭一
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051804
Publication number (International publication number)：1996222122
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】〔目的〕 微細で多数の陰極群を対象に半導体集積回路の場合とほぼ同様の製造工程を経て容易に製造可能な構造のダイヤモンドを利用した電界放出型陰極を提供する。〔構成〕 開口が形成されたダイヤモンドの層(13)と、このダイヤモンドの層(13)を介在させながら上下に配置され上記開口の近傍においてこのダイヤモンドの層(13)内に電子を注入する注入用電極対(11,14) と、このダイヤモンドの層(13)の上記開口の内周面から外部に電子を引き出すための電界をこの開口の内周面上に発生させる引出し用電極(16)とを備える。

Claim (excerpt)：

開口が形成されたダイヤモンドの層と、このダイヤモンドの層を介在させながら上下に配置され前記開口の近傍においてこのダイヤモンドの層内に電子を注入する注入用電極対と、前記ダイヤモンドの層の前記開口の内周面から真空中に電子を引出すための電界をこの開口の内周面上に発生させる引出し用電極とを備えたことを特徴とする電界放出型陰極。