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J-GLOBAL ID：200903082676165870

光電変換素子

Inventor： 大塚 正男 ,  内田 孝幸 ,  菅原 將
Applicant, Patent owner： 大塚 正男
Agent (1)： 大井 正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996134508
Publication number (International publication number)：1997321331
Application date： May. 29, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 (1)従来公知のものよりも光応答速度が高い光電変換素子を提供すること。(2)光感度特性に優れた光電変換素子を提供すること。(3)明暗電流比の高い光電変換素子を提供すること。(4)駆動電圧が低い場合であっても十分に高い光電流を得ることができる光電変換素子を提供すること。(5)イメージセンサーに使用される画像読み取り素子として好適な光電変換素子を提供すること。【解決手段】 本発明の光電変換素子は、チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を光導電性物質として含有していることを特徴とする。本発明の光電変換素子は、透明電極(1)と対向電極(2)との間に、チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を含有する光導電層(3)が介在されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を光導電性物質として含有していることを特徴とする光電変換素子。

IPC (4)：

H01L 31/08 ,  C07D487/22 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 31/08 Q ,  C07D487/22 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C