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J-GLOBAL ID：200903082701295805

プラズマCVD法による堆積膜形成方法、及びプラズマ発生用高周波電極と該電極で構成したプラズマCVD装置

Inventor： 寺西 康治 ,  高木 智
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998352082
Publication number (International publication number)：2000164520
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】大面積の基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定に、効率よく形成することのできるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】プラズマ発生用高周波電極の高周波電力給電点の反対側を、LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)を介して接地すると共に、その高周波電力給電点側にも高圧可変コンデンサ(B)を設置し、 前記LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)の容量及び前記高周波電力給電点側の高圧可変コンデンサ(B)の容量をそれぞれ可変させて、該両コンデンサの容量の総和量と略等しい容量(k)を可変的に制御して、前記プラズマ発生用高周波電極に供給される高周波の位相を変化させることにより、プラズマ電位を均一化して堆積膜を形成するようにする。

Claim (excerpt)：

減圧可能な反応容器、該反応容器内にプラズマCVDの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、および前記反応容器内に配された基体保持手段、該反応容器内の反応後のガスを排気する排気手段、および高周波電源より高周波電力を供給しプラズマを生成するための棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発生用高周波電極を有し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記プラズマ発生用高周波電極に供給し、前記基体保持手段により保持される基体と前記プラズマ発生用高周波電極との間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成方法において、前記プラズマ発生用高周波電極の高周波電力給電点の反対側を、LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)を介して接地すると共に、その高周波電力給電点側にも高圧可変コンデンサ(B)を設置し、前記LC回路内の高圧可変コンデンサ(A)の容量及び前記高周波電力給電点側の高圧可変コンデンサ(B)の容量をそれぞれ可変させて、該両コンデンサの容量の総和量と略等しい容量(k)を可変的に制御して、前記プラズマ発生用高周波電極に供給される高周波の位相を変化させることにより、プラズマ電位を均一化して堆積膜を形成するようにしたことを特徴とするプラズマCVD法による堆積膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 D ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M

F-Term (41)：

2H068AA54 ,  2H068AA55 ,  2H068DA71 ,  2H068EA24 ,  2H068EA30 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030CA16 ,  4K030CA17 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA06 ,  4K030GA14 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA08 ,  4K030KA16 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  4K030KA49 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AE15 ,  5F045AF10 ,  5F045BB01 ,  5F045CA16 ,  5F045DA65 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14 ,  5F045EH15