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J-GLOBAL ID：200903082701547251

半導体光デバイス

Inventor： 笠谷 和生 ,  三冨 修 ,  永沼 充
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993162980
Publication number (International publication number)：1995074396
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 複数のデバイスを集積化した半導体光機能素子と光ファイバ間を低損失で光結合することができる小形で製作が容易なテーパ導波路を提供する。【構成】 半導体光デバイスは半導体基板301上に導波路コア層302の幅または厚さの少なくとも一方を光伝搬方向に沿って徐々に変化させた埋め込み型のテーパ導波路を形成するテーパ導波路は少なくとも1層からなる導波路コア層302とメサ状に加工したクラッド層303,304,305,309から構成される。クラッド層は基板材料に比べ高い屈折率を持つ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、コア層の幅または厚さの少なくとも一方を光伝搬方向に沿って徐々に変化させた埋め込み型のテーパ導波路であって、少なくとも1層からなるコア層とメサ状に加工したクラッド層から構成され、前記クラッド層は基板材料に比べ高い屈折率を持つことを特徴とする半導体光デバイス。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-228380
  
• 特開昭60-089990
  
• 特開平4-360105