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J-GLOBAL ID：200903082711470036
半導体光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995081948
Publication number (International publication number)：1996250768
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】品質を低下させないように、流れる電流を効率良く利用するワイヤボンディング電極を有する半導体光素子を提供すること。【構成】光取り出しまたは光検出等の光信号に直接関係しない電極パッド10下の半導体領域に電流を流しにくくする高抵抗層(もしくは絶縁層)14を薄く形成する。この層14の存在によって電流は電極パッド10領域直下には流れにくくなり、電極パッド領域以外の半導体層に流れる。従って発光に寄与する電流は電極パッド10直下ではほとんどなくなり、光信号に寄与する領域にのみ流れる。従って同じ電流値ならば光信号に寄与する領域により多く流れるため、効率が向上する。また電極パッド10下の領域にはあまり電流が流れないため、劣化が増大することが抑制され、製品としての寿命が長くなり、品質が向上する。
Claim (excerpt)：
ワイヤボンディング用の電極パッドを有する半導体光素子において、当該光素子の光取り出し側もしくは光検出側の電極パッドの下部に抵抗率の高い高抵抗化領域を有することを特徴とする半導体光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
