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J-GLOBAL ID：200903082713462278

プラズマ気相成長装置

Inventor： 松村 邦夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 樺澤 襄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995056372
Publication number (International publication number)：1996255758
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 生産性を向上したプラズマ気相成長装置を提供する。【構成】 電極15上にガラス基板Gを載置しマスク18にて保持する。電極15内のヒータ16を過熱するとともに、成膜用ガス系から成膜ガスを供給し、吹出用シャワーヘッド4のガス噴出孔8から反応室1内に供給する。吹出用シャワーヘッド4にRF電源21から高周波電圧を印加し、吹出用シャワーヘッド4および電極15間で放電を行なわせてプラズマ状態とし、ガラス基板Gの表面に薄膜を形成する。放電空間の周囲の排気用制御板13、マスク18およびチャンバ壁防着板19のいずれも絶縁性のセラミック部品にて形成しているため、吹出用シャワーヘッド4および電極15間以外では放電が生じないため、成膜時に異常放電が生じない。反応室1内をクリーニングする場合には、クリーニング用ガス系からクリーニング用ガスを供給し、吹出用シャワーヘッド4のガス噴出孔8から反応室1内に供給する。

Claim (excerpt)：

一方の電極と、この一方の電極に対向して設けられ、絶縁性基板を固定する他方の電極と、前記一方の電極および他方の電極間に高周波電力を印加して前記一方の電極および他方の電極間に放電してプラズマを発生させる高周波電力供給手段と、前記一方の電極および他方の電極間で放電する放電空間の周囲に設けられた絶縁手段とを具備したことを特徴とするプラズマ気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/13 101

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/13 101