Pat

J-GLOBAL ID：200903082718500585

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

Inventor： 小山 直之 ,  芦沢 寅之助 ,  吉田 誠人
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998286142
Publication number (International publication number)：2000109802
Application date： Oct. 08, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするCMP研磨剤、及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤、及び水からなるCMP研磨剤で、生分解性を有する添加剤はポリビニルアルコール、ポリビニルアルコール系共重合体及びそれらの誘導体であるCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー及び生分解性を有する添加剤と水を含む添加液からなるCMP研磨剤。研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。

Claim (excerpt)：

酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤及び水を含有するCMP研磨剤。

IPC (5)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622

FI (6)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 K ,  C09K 3/14 550 M ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D

F-Term (5)：

3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AA16 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17