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J-GLOBAL ID：200903082720666610

グラファイトるつぼの製造方法

Inventor： 田尾本 昭 ,  尾崎 豊一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999285575
Publication number (International publication number)：2001106573
Application date： Oct. 06, 1999
Publication date： Apr. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 真空蒸着や電子ビーム蒸着の際に蒸着物質の加熱・冷却を繰り返した場合にも、クラック等の欠陥が生じることなく、繰り返し利用が可能なグラファイトるつぼの製造を可能とすることを目的とする。【解決手段】 高分子フィルムを原料として2000°C以上の温度で熱処理してグラファイト化させてグラファイトるつぼを形成することにより、真空蒸着や電子ビーム蒸着で蒸着物質の加熱の際に、表面が多孔質でなく溶融金属が表面からグラファイトるつぼ内に浸透することがないため、繰り返し利用が可能なグラファイトるつぼの製造が可能となる。

Claim (excerpt)：

高分子フィルムを2000°C以上の温度で熱処理することによりグラファイト化させることを特徴とするグラファイトるつぼの製造方法。

IPC (2)：

C04B 35/52 ,  C01B 31/04 101

FI (2)：

C01B 31/04 101 A ,  C04B 35/54 A

F-Term (8)：

4G032AA13 ,  4G032BA01 ,  4G032GA06 ,  4G046EA03 ,  4G046EB02 ,  4G046EC01 ,  4G046EC03 ,  4G046EC05