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J-GLOBAL ID：200903082730434130

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 安達 広樹 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998161364
Publication number (International publication number)：1999340471
Application date： May. 25, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 陽極酸化用の電圧供給配線を形成せずに配線を陽極酸化する。【解決手段】 アルミニウムでなる第2の配線層103は配線ごとに分離されて形成され、タンタルでなる金属膜101によって電気的にショートされている。第1の金属膜101に電圧を印加することによって、前記第2の配線層103を陽極酸化して、その表面に配線層103の陽極酸化物膜(アルミナ膜)105を形成する。陽極酸化物105をマスクにして、陽極酸化物104をエッチングして第1の配線層106を形成し、配線層103と106が積層した配線110が完成する。

Claim (excerpt)：

ボトムゲート型薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記ボトムゲート型トランジスタのゲート配線は、第1の導電膜でなる第1の配線層上に、第2の導電膜でなる第2の配線層が積層され、前記第1の配線層を酸化して形成された前記第1の酸化物膜と、前記第2の配線層を酸化して形成された前記第2の酸化物膜と、を有し、前記第2の配線層の下部は、前記第1の配線層のみに接し、前記第2の酸化物膜の下部は、前記第1の配線層及び前記第1の酸化物膜とに接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 W