フラッシュEEpromシステム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井ノ口壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023842
Publication number (International publication number)：1999339485
Application date： Apr. 12, 1990
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】フラッシュEEPROMシステムを提供する。【解決手段】本発明によるフラッシュEEPROMシステムは、プロセッサ21およびメモリシステムを含む。前記メモリシステムは、複数のセクタに分割された不揮発性フローティングゲートメモリセルのアレイ33を含んでいる。前記セクタはそれぞれ、1つのユニットとして同時に消去可能な前記メモリセルアレイの明確なグループを含むものである。個々のセクタ内にメモリセルの少なくとも1つのユーザデータ部と少なくとも1つのオーバーヘッド部を供給することと、少なくとも1つの磁気ディスクセクタを指定する形式のアドレスをプロセッサからの受けると、それに応じて、前記少なくとも1つの磁気ディスクセクタに対応する少なくとも1つの不揮発性メモリセクタのアドレスを指定する。

Claim (excerpt)：

プロセッサおよびメモリシステムを含むコンピュータシステムの操作方法であり、ここにおいて前記メモリシステムは、複数のセクタに分割された不揮発性フローティングゲートメモリセルのアレイを含んでおり、前記セクタはそれぞれ、1つのユニットとして同時に消去可能な前記メモリセルアレイの明確なグループを含むものであるコンピュータシステムの操作方法において、個々のセクタ内にメモリセルの少なくとも1つのユーザデータ部と少なくとも1つのオーバーヘッド部を供給することと、少なくとも1つの磁気ディスクセクタを指定する形式のアドレスをプロセッサからの受けると、それに応じて、前記少なくとも1つの磁気ディスクセクタに対応する少なくとも1つの不揮発性メモリセクタのアドレスを指定することと、前記少なくとも1つの不揮発性メモリセクタのユーザデータ部にユーザデータを書込むことか、もしくは前記ユーザデータ部からユーザデータを読出すことと、前記少なくとも1つの不揮発性メモリセクタか、もしくは前記少なくとも1つの不揮発性メモリセクタのユーザデータ部に記憶されるデータのいずれかに関するものであるオーバーヘッドデータを、前記少なくとも1つの不揮発性メモリセクタの前記オーバーヘッド部に書込むことか、もしくは前記オーバーヘッド部から読出すことのいずれかからなるコンピュータシステムの操作方法。

IPC (3)：

G11C 16/02 , G06F 12/16 310 , H01L 21/82

FI (3)：

G11C 17/00 613 , G06F 12/16 310 P , H01L 21/82 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

特開昭63-124298
特開昭61-184795
特開昭63-055799

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