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J-GLOBAL ID：200903082745473697
半導体基板、固体撮像装置及びこれらの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994023145
Publication number (International publication number)：1994338507
Application date： Jan. 25, 1994
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】 不純物及び結晶欠陥を強力にゲッタリングすることができ且つゲッタリング能力が長く持続する半導体基板及び固体撮像装置を製造する。【構成】 酸素濃度が1.5×1018原子cm-3のSi基板であるCZ基板11に炭素14をイオン注入して、炭素注入領域15を形成する。そして、このCZ基板11上にSiエピタキシャル層16を形成して、エピタキシャル基板17を完成させる。イオン注入した炭素14が酸素の析出を加速して高密度の結晶欠陥を形成し、この結晶欠陥がゲッタリングサイトになる。また、Siと炭素14とで共有結合半径が異なることによって応力が発生し、この応力自体もゲッタリングサイトになる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面にエピタキシャル層が形成されており、前記半導体基板を形成している第1の元素以外で且つこの第1の元素と同族の第2の元素が前記表面よりも前記半導体基板側にピーク濃度を有して存在しており、このピーク濃度が1×1016原子cm-3以上であることを特徴とする半導体基板。
IPC (3)：
H01L 21/322
, H01L 21/20
, H01L 27/148
Cited by examiner (10)
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