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J-GLOBAL ID：200903082746048507

レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法

Inventor： 後藤 日出人 ,  宮崎 正男 ,  森 清人
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  関東化学株式会社
Agent (1)： 南 孝夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224895
Publication number (International publication number)：1995037846
Application date： Jul. 22, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【構成】 アルカリ性のレジスト剥離液によるレジスト剥離後に用いるリンス液であって、(a)水溶性の1価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または(b)水溶性の1価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸と水、または(c)有機もしくは無機の酸と水よりなる基板に対して非腐食性のリンス液、半導体装置およびその製造方法。【効果】 このリンス液は高密度集積回路の配線材料として多用されているAl-Si-Cu等の配線材料のレジスト剥離工程での腐食を完全に防止する。

Claim (excerpt)：

アルカリ性のレジスト剥離液によるレジスト剥離後に用いるリンス液であって、(a)水溶性の1価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸、または(b)水溶性の1価の低級アルコールと有機もしくは無機の酸と水、または(c)有機もしくは無機の酸と水よりなることを特徴とする基板に対して非腐食性のリンス液。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 17/00 ,  C23G 5/032 ,  H05K 3/26