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J-GLOBAL ID：200903082757131473

局部相互接続のオーバパス・マスク/絶縁体及びその製造方法

Inventor： ジョン・エドワード・クロニン ,  カーター・ウェリング・カンタ ,  ランディ・ウィリアム・マン ,  ダーレル・ミュールマンス ,  ゴードン・セス・スターキー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118787
Publication number (International publication number)：1996064822
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は局部相互接続のユーティリティを大幅に改良する新規な方法と構造とを有する。これらの方法と構造により、挿入された局部相互接続部は、ある露出されたデバイスと選択的に接続でき、且つ互いに絶縁を保つことができる。【構成】 本発明に従いゲート36は導電性の材料57から完全に絶縁され、一方、他の局部構造体は、例えばゲート40及び拡散物49などの導電性の材料57と電気的に接続されている。更にスタック構造体31及び33の高さは等しい。これは使用されるマスキング及びエッチング・シーケンスのためである。この等しい高さによりスペーサの幅はスタック構造体の外部表面に沿って等しく形成される。

Claim (excerpt)：

半導体の製造方法であってa)電気的絶縁性材料の第1のマスクを電気的導電性材料にダマシーニングするステップと、b)上記電気的導電性材料上に第2のマスクを形成するステップと、c)オーバパス伝導体の伝導体イメージを画定するために上記第1のマスクと上記第2のマスクとを使用するステップと、d)上記オーバパス伝導体から上記電気的導電性材料の1部を電気的に絶縁するオーバパス絶縁体として上記第1のマスクを保持するステップと、を有する、半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/90 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-039773
  
• 特開平4-257259