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J-GLOBAL ID：200903082758268669

面出射形半導体レーザ

Inventor： 菅生 繁男
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152833
Publication number (International publication number)：1993327121
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待できる反射板を用いたより平坦な形状でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提供することにある。【構成】 多層反射膜11及び13を構成する2種の層に、発振波長より小さいバンドギャップ波長を有する組成でかつ4分の1波長の層厚を有する半導体層と、空気または真空層とを用いる。【効果】 従来の半導体層を用いる場合に比べ屈折率比で3.2と非常に大きくできる為、3周期の積層構造で反射率が99.9%で、積層層厚は1.3μmと従来にくらべて非常に薄くかつ高反射率化できる。従って、従来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射率を高くできる為発振閾値をより低減できる。

Claim (excerpt)：

発光層と前記発光層を挟む2つの反射鏡が基板面と平行に積層された構造を有する面出射形半導体レーザにおいて、前記反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギャップ波長を有する半導体層と前記半導体層で挟まれた空気または真空層との少なくとも1周期の繰り返しからなる多層反射膜であることを特徴とする半導体レーザ。