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J-GLOBAL ID：200903082759089300

磁気検出素子及びその製造方法

Inventor：
西山 義弘

About 西山 義弘


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001279195
Publication number (International publication number)：2003086861
Application date： Sep. 14, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ハードバイアス層によってフリー磁性層に縦バイアス磁界を与えるCPP型の磁気検出素子において、スピンバルブ多層膜とハードバイアス層の電気的絶縁を確実にとることのできる磁気検出素子を提供する。【解決手段】 多層膜T1のトラック幅方向における側端面T1s,T1sに、ハードバイアス層(縦バイアス層)と多層膜T1を電気的に絶縁する絶縁酸化膜32,32を設けることにより、縦バイアス層と多層膜T1の側端面T1s,T1sの電気的絶縁を確実にとることができ、磁気検出素子の出力を容易に向上させることができる。
Claim (excerpt)：
固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、硬磁性材料からなり前記多層膜の前記フリー磁性層のトラック幅方向における側端面に対向する一対の縦バイアス層、並びに前記多層膜の上面に電気的に接続された上部電極層及び前記多層膜の下面に電気的に接続された下部電極層を有し、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する磁気検出素子において、前記多層膜のトラック幅方向における側端面に、前記縦バイアス層と前記多層膜を電気的に絶縁する絶縁酸化膜が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
F-Term (12)：
2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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