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J-GLOBAL ID：200903082760388175

プラズマ処理装置の陽極構造

Inventor： 酒見 俊之
Applicant, Patent owner： 住友重機械工業株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995279289
Publication number (International publication number)：1997118983
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 陽極部表面への絶縁膜形成を長時間にわたって防止することができ、もって長時間にわたる安定した放電を実現できるプラズマ処理装置の陽極構造を提供すること。【解決手段】 真空チャンバー11内に、プラズマビームをガイドするための磁場を発生する磁石24を内蔵した陽極部100を設ける。この陽極部は、前記プラズマビームの入射側に該プラズマビームが通過する孔103aとこの孔より大きい空間部104とを形成して成る。この陽極部の周囲には前記プラズマビームが通過する部分に孔22fが形成されたシールドフランジ22を設ける。前記陽極部と前記シールドフランジとの間には前記真空チャンバー外からのシールドガスの導入路105を設け、この導入路からのシールドガスを前記陽極部に設けたシールドガス導入孔106を通して前記空間部に導入するようにした。

Claim (excerpt)：

プラズマビームを用いて真空チャンバー内の被処理物上に膜を形成するプラズマ処理装置において、前記真空チャンバー内に、前記プラズマビームをガイドするための磁場を発生する磁石を内蔵した陽極部を設け、該陽極部は、前記プラズマビームの入射側に該プラズマビームが通過する孔とこの孔より大きい空間部とを形成して成り、該陽極部の周囲には前記プラズマビームが通過する部分に孔が形成されたシールドブロックを設け、前記陽極部と前記シールドブロックとの間には前記真空チャンバー外からのシールドガスの導入路を設け、この導入路からのシールドガスを前記陽極部に設けたシールドガス導入孔を通して前記空間部に導入するようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置の陽極構造。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/24 ,  H05H 1/46

FI (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/24 T ,  H05H 1/46 A