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J-GLOBAL ID：200903082770052647
半導体圧力センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994095990
Publication number (International publication number)：1995302917
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】隣接する歪みゲージの間に、表面の絶縁性保護膜上の汚染物質の電荷の影響で反転層が生じ、漏れ電流が流れるのを防止する。【構成】隣接する歪みゲージ3の中間の表面層に同じ導電形で高不純物濃度領域9を形成し、反転層をそこでストップする。これにより漏れ電流の径路が遮断される。配線に拡散層を用いる場合は、同様の高不純物濃度領域9を隣接拡散配線間、あるいは歪みゲージ3と拡散配線の間に設けて同様の効果を得る。
Claim (excerpt)：
第一導電形の半導体からなるダイヤフラムの表面層に形成された第二導電形の歪みゲージを有するものにおいて、隣接する歪みゲージ中間の第一導電形領域の表面層にその領域より高不純物濃度の第一導電形の領域が形成されたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
