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J-GLOBAL ID：200903082773662543
ウェハーフォークおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992205293
Publication number (International publication number)：1994053303
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】不純物によるウェハーの汚染が少なく、またそり等の発生が少ない高強度で高寸法精度を有するウェハーフォークおよびその効率的な製造方法を提供する。【構成】半導体製造工程において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォーク1aであり、窒化けい素(Si3 N4 )およびサイアロン(Si-Al-O-N)の少なくとも一方のセラミックス材から成り、保持するウェハー8の周辺部と接触してウェハー8を所定位置に保持する周縁段部2と、上記ウェハー8と非接触で対向するように形成した凹部3とを形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体製造工程において半導体ウェハーを保持して順次搬送するウェハーフォークであり、窒化けい素(Si3 N4 )およびサイアロン(Si-Al-O-N)の少くとも一方のセラミックス材から成り、保持するウェハーの周辺部と接触してウェハーを所定位置に保持する周縁段部と、上記ウェハーと非接触で対向するように形成した凹部とを形成したことを特徴とするウェハーフォーク。
IPC (2)：
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