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J-GLOBAL ID：200903082783272484

薄膜の形成方法

Inventor： 北畠 裕也
Applicant, Patent owner： 積水化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001149232
Publication number (International publication number)：2002343725
Application date： May. 18, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 常圧プラズマCVD法において、被処理基材表面上に均一な薄膜を形成する方法の提供。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向する一対の平行平板電極間に処理ガスを導入し、当該一対の電極間にパルス化された電界を印加して得られる放電プラズマを基材に接触させて基材表面に薄膜を形成する方法において、回転する基材に平行平板電極のプラズマガス吹き出し口からプラズマを吹き付け、プラズマを接触させることを特徴とする基材表面への薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

大気圧近傍の圧力下で、少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向する一対の平行平板電極間に処理ガスを導入し、当該一対の電極間にパルス化された電界を印加して得られる放電プラズマを基材に接触させて基材表面に薄膜を形成する方法において、回転する基材に平行平板電極のプラズマガス吹き出し口からプラズマを吹き付け、プラズマを接触させることを特徴とする基材表面への薄膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  B05D 3/04 ,  C23C 16/515 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  B05D 3/04 C ,  C23C 16/515 ,  H05H 1/46 M

F-Term (58)：

4D075AC76 ,  4D075BB14Z ,  4D075BB44Z ,  4D075BB49Z ,  4D075BB70Z ,  4D075BB85Z ,  4D075CA23 ,  4D075CA37 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC22 ,  4D075EB01 ,  4D075EB16 ,  4D075EB20 ,  4D075EB22 ,  4D075EB24 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4G075AA24 ,  4G075BC04 ,  4G075DA02 ,  4G075EA02 ,  4G075EB41 ,  4G075ED01 ,  4G075ED08 ,  4G075ED11 ,  4G075EE31 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA03 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045DQ16 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EM10