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J-GLOBAL ID：200903082785091681

高輝度スピン偏極電子線源

Inventor： 溝口 正
Applicant, Patent owner： 株式会社アプコ
Agent (1)： 岡田 守弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997068713
Publication number (International publication number)：1998269976
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、レーザーでカソードとなるGaAsを照射して放出される光電子をアノードで加速して光電子線ビームを出射する高輝度スピン偏極電子線源に関し、特に低加速電圧で発生する光電子線ビームの輝度の劣化を解消し、かつ光電子線ビームの方向に対するスピンの角度を出射方向に垂直あるいは任意の方向に設定することを可能にし、光電子線ビームのスピンの向きを試料表面に平行あるいは任意の方向に設定できかつ高輝度を実現することを目的とする。【解決手段】 円偏極のレーザーで照射する劈開面を持つカソードとなるGaAs結晶と、GaAs結晶から放出された光電子を引き出すための電位差を与える、中心に孔を持つアノードとを備え、このアノードによって取り出された方向と垂直方向あるいは任意方向のスピンの向きを持つ光電子を出射するように構成する。

Claim (excerpt)：

レーザーでカソードとなるGaAsを照射して放出される光電子をアノードで加速して光電子線ビームを出射する電子源において、円偏極のレーザーで照射する劈開面を持つカソードとなるGaAs結晶と、GaAs結晶から放出された光電子を引き出すための電位差を与える、中心に孔を持つアノードとを備え、このアノードによって取り出された方向と垂直方向あるいは任意方向のスピンの向きを持つ光電子を出射することを特徴とする高輝度スピン偏極電子線源。