Pat

J-GLOBAL ID：200903082786569186

薄膜半導体装置の製造方法

Inventor： 青山 隆 ,  及川 三郎 ,  岡島 義昭 ,  小西 信武 ,  河内 玄士朗 ,  安達 英美 ,  鈴木 誉也 ,  宮田 健治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996275823
Publication number (International publication number)：1997181325
Application date： Jun. 10, 1987
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】電気的特性にすぐれた薄膜半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】歪温度約640°Cのガラス基板上に、570°C以下の温度で減圧CVD法により多結晶シリコン膜を堆積させ、640°C以下の熱処理を行うことにより{111}面を主体とした配向を持つ多結晶シリコン膜を形成する。【効果】キャリア移動度が大きい薄膜半導体装置が得られる。

Claim (excerpt)：

下記工程を含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。(1)歪温度約640°Cのガラス基板上に、570°C以下の温度で、減圧CVD法により多結晶シリコン膜を形成する工程。(2)上記多結晶シリコン膜が形成されたガラス基板を640°C以下の温度でアニールし、{111}面を主体とした配向を持つ多結晶シリコン膜を形成する工程。

IPC (9)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

FI (9)：

H01L 29/78 627 G ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 D ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 620