Pat
J-GLOBAL ID：200903082791333310
太陽電池の損壊箇所の修復方法及びその太陽電池
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361500
Publication number (International publication number)：1994204524
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、簡単な装置及び手順で、太陽電池素子の損壊箇所たるピンホールを絶縁体で充填し、太陽電池素子のシャントと短絡を防ぐ方法を提供することを目的とする。【構成】 太陽電池素子100を、エポキシ系カチオン電着クリヤー塗料の90%水溶液101が満たされた石英窓102付き反応槽103に浸漬し、AMl.5、100mW/cm2の光104を20秒間、石英窓102を介し、太陽電池素子の透明導電層側から入射してピンホール部105を選択的に絶縁樹脂106で充填し、水洗後、150°C下で、20分間熱処理して、デュポン製銀ペースト#5007をスクリーン印刷で塗布し、集電用グリッド電極を形成した。【効果】 従来の無処理のものに比ベて、平均で光電変換効率については22%向上し、シャント抵抗については37%向上した。
Claim (excerpt)：
裏面電極としての導電体層、太陽電池素子としての半導体層、及び光入射側の上部電極としての透明導電層をその順序で形成する太陽電池の製造方法において、少なくとも太陽電池素子を反応溶液に浸し、前記太陽電池素子に光を照射し、透明導電層又は導電体層が露出する部分のピンホールを絶縁体又は半導体で選択的に充填することを特徴とする太陽電池の損壊箇所の修復方法。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
