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J-GLOBAL ID：200903082791784966

半導体素子の製造方法

Inventor： 秋山 広一
Applicant, Patent owner： 株式会社明電舎
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992033797
Publication number (International publication number)：1993235333
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 切断加工時に飛散する微粒子から半導体基板を保護する保護膜の形成が可能であり、更にレーザーによる切断部分3に、除去困難な保護膜の変質物が残留することのない半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にフォトレジストを塗布し、次にこのフォトレジストをフォトマスクを用いて露光する。次に現像を行ってフォトレジストの露光部分に保護膜7を形成した後に、上記半導体基板の切断加工を行って半導体素子を製造する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にフォトレジストを塗布し、次に前記フォトレジストをフォトマスクを用いて露光し、更に現像を行って前記フォトレジストの露光部分に保護膜を形成した後に前記半導体基板の切断加工を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/74 ,  H01L 21/78