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J-GLOBAL ID：200903082795439708
露光装置、該露光装置に用いるマスク構造体、露光方法、前記露光装置を用いて作製された半導体デバイス、および半導体デバイス製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊東 哲也 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999093523
Publication number (International publication number)：2000286187
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：
【要約】【課題】 マスク表面への汚染の付着や堆積を防いでマスクの長寿命化および露光精度の低下防止を図る。【解決手段】 マスク構造体Eとして少なくとも一部に光触媒を有するものを用い、かつ、露光室Oとは別の部屋Nでマスク構造体に適宜、補助光を照射する補助光源Kを設ける。別の部屋Nは、新たに設けても、被転写体Fに露光を行なわない時にマスク構造体を保管するマスクカセット室があれば、それであってもよい。補助光源は露光室にも設けることができる。
Claim (excerpt)：
マスクに形成された所望のパターンを露光により被転写体に転写する露光装置において、前記マスクを備えたマスク構造体として少なくとも一部に光触媒を有するものを用いること、および該マスク構造体を保管するマスクカセット室とは別に、前記マスク構造体を収容し、かつ補助光を照射するためのユニットを持つことを特徴とする露光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB30
, 2H095BC16
, 2H095BC24
, 5F046GA07
, 5F046GA20
, 5F046GC04
, 5F046GD01
, 5F046GD03
, 5F046GD04
, 5F046GD20
