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J-GLOBAL ID:200903082798367830
ダイヤモンド結晶
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山下 穣平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991331591
Publication number (International publication number):1993139889
Application date: Nov. 21, 1991
Publication date: Jun. 08, 1993
Summary:
【要約】【構成】 厚さ0.2nm以上10nm以下のFe,Co,NiもしくはCrの単体又は合金の単結晶薄膜を形成した基体上に気相合成法により形成されたダイヤモンド単結晶、及び、核形成密度の小さい非核形成面と単一核のみより結晶成長するに充分小さい面積を有し、前記非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度を有する核形成面を形成することにより、該核形成面に選択的に形成されたダイヤモンド結晶において、前記核形成面として、厚さ0.2nm以上10nm以下の配向性を有するFe,Co,NiもしくはCrの単体又はその合金を用いることにより、配向性を有する選択堆積ダイヤモンド結晶。【効果】 平滑性の良好なダイヤモンドのヘテロエピタキシャル膜、及び、、配向性の制御された単一核よりなる選択堆積ダイヤモンドを可能にした。
Claim (excerpt):
厚さ0.2nm以上10nm以下のFe,Co,NiもしくはCrの単体又は合金の単結晶薄膜を形成した基体上に気相合成法により形成されたことを特徴とするダイヤモンド単結晶。
IPC (4):
C30B 29/04
, C30B 23/02
, C30B 25/02
, C30B 25/16
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平3-205399
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特開平4-128377
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特開平4-130089
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