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J-GLOBAL ID：200903082799974594

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 馬場 智也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003185154
Publication number (International publication number)：2005019851
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】1つの基板で、nチャネルMOSFETとpチャネルMOSFETに対して、異なる基板構造を実現して同程度の移動度向上を達成することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板11と、このシリコン基板11上に形成された、シリコン基板11と格子定数の異なるシリコンゲルマニウム膜14p、14nと、このシリコンゲルマニウム膜14p上のpチャネルMOSFET形成領域に形成されたpチャネルMOSFET33と、シリコンゲルマニウム膜14n上のnチャネルMOSFET形成領域に形成されたnチャネルMOSFET32とを備える。pチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜14pの膜厚が、nチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜14nの膜厚より薄い半導体装置を提供する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された、シリコン基板と格子定数の異なるシリコンゲルマニウム膜と、このシリコンゲルマニウム膜上のpチャネルMOSFET形成領域に形成されたpチャネルMOSFETと、シリコンゲルマニウム膜上のnチャネルMOSFET形成領域に形成されたnチャネルMOSFETとを備え、 前記pチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜の膜厚が、nチャネルMOSFET形成領域のシリコンゲルマニウム膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L21/8238 ,  H01L21/20 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

FI (4)：

H01L27/08 321C ,  H01L21/20 ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 301B

F-Term (29)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA03 ,  5F048BA19 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F052JA04 ,  5F052KA01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BB01 ,  5F140BB06 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08