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J-GLOBAL ID：200903082816195022

半導体装置

Inventor： 梶井 芳雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063342
Publication number (International publication number)：1993267302
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 I/Oセルを効率的配置する事により、チップの種類に係わらず等間隔で均一なバンプ配置を有すると同時に多ピン化に対応した半導体装置を提供する。【構成】 エリアバンプ構成を有する半導体装置1に於いて、大きさの異なるI/Oセルを当該半導体装置に混在させて配置するに際し、寸法の大きなI/Oセル6をバンプ形成領域の周辺部2に配置し、寸法の小さいI/Oセル4を該バンプ形成領域の内部11に配置した半導体装置。

Claim (excerpt)：

エリアバンプ構成を有する半導体装置に於いて、大きさの異なるI/Oセルを当該半導体装置に混在させて配置するに際し、寸法の大きなI/Oセルをバンプ形成領域の周辺部に配置し、寸法の小さいI/Oセルを該バンプ形成領域の内部に配置したことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-194640
  
• 特開昭58-116757