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J-GLOBAL ID：200903082825190203

半導体レーザの製造方法

Inventor： 永井 豊
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309600
Publication number (International publication number)：1995162086
Application date： Dec. 10, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高周波重畳時も良好な素子特性を有する半導体レーザを得る。また、高光出力で動作可能である窓構造を有する半導体レーザを得る。【構成】 埋め込み半導体レーザにおいて、リッジマスクが不純物拡散源となる膜16aで構成され、電流ブロック層成長時の熱により該不純物拡散源膜16aからp-コンタクト層5とp-クラッド層4の途中まで不純物が拡散し、p-クラッド層4のキャリア濃度が実効的に増加し素子抵抗が下がる。また、量子井戸構造活性層3まで拡散が達し該量子井戸構造がディスオーダーされることにより窓構造が形成される。【効果】 素子抵抗が低減する結果、高周波重畳時の特性が改善される。また、該拡散により量子井戸構造活性層がディスオーダーされて窓構造が形成され、高出力動作可能な窓構造半導体レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

リッジ埋め込み型半導体レーザを製造する方法において、半導体基板上に、第1導電型下クラッド層,活性層,及び第2導電型上クラッド層を少なくとも含む半導体結晶層を成長する工程と、上記半導体結晶層上の、後で形成されるリッジ部の頂部となるストライプ状の領域に、それから上記上クラッド層中に拡散したときに、第2導電型のドーパントとして機能する原子を含むストライプ状のパターンをもつ不純物拡散源膜を形成する工程と、上記半導体結晶層を、上記不純物拡散源膜を含むリッジエッチングマスクを用いて、上記第2導電型上クラッド層がストライプ状のリッジ部を有する形状にリッジエッチングする工程と、リッジ部の両側部に該リッジ部を埋め込むように第1導電型の電流ブロック層を埋め込み成長する工程と、熱処理により上記ストライプ状パターンになる不純物拡散源膜から上記第2導電型のドーピングとして機能する原子を上記上クラッド層中に拡散させ、上記リッジ部の第2導電型上クラッド層中に第2導電型不純物を含む高濃度層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。