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J-GLOBAL ID：200903082841585250
ドライエツチング装置及びドライエツチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991277088
Publication number (International publication number)：1993013374
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 被処理物表面上の全体にわたって均一な磁界を形成しすることで均一なプラズマを誘起し、高精度なドライエッチングを可能とすること。【構成】 真空容器20内に配置されるウエハ14は下部電極22上に載置され、ウエハ14と対向して上部電極24が配置される。永久磁石30は磁石ブロックの両端面にS,N極を有するように着磁され、磁石ブロックに階段状又はテーパ状に窪んだ凹部を設けることで、電極22,24間に生ずる垂直電界と直交する水平磁界が形成される。電極22,24間にエッチングガスを供給すると、ウエハ14表面全体に亘って均一な密度のプラズマが誘起され、高精度エッチングを実現できる。
Claim (excerpt)：
真空容器と、この真空容器内に配置される被処理物を載置する第1の電極、及びこれと対向する第2の電極からなる一対の平行電極と、前記真空容器内にエッチングガスを導入する手段と、磁石ブロックの両端面に逆極性の主磁極が設けられるとともに前記両端面間の前記磁石ブロックには階段状もしくはテーパー状に窪んだ凹部が形成され、かつ前記凹部が前記第2の電極の裏面に相対して配置された磁場発生磁気回路と、前記電極の少なくとも一方に電界を印加する手段とを備え、前記平行電極間に放電を誘起して前記被処理物をエッチングするドライエッチング装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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