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J-GLOBAL ID：200903082843123980
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317663
Publication number (International publication number)：1997162391
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】負荷短絡時における制限電流値の電圧依存性を抑えて、主セルに流れる主電流値とセンスセルに流れる検出電流値の比率を一定に保ち、さらに主電流の監視を低電流レベルでもできるようにする。【解決手段】センスセル領域は第1のセンスセル領域5と第2のセンスセル領域6から構成され、第1センスセル領域5の端部と主セル領域4の端部との距離Lは100μm以上離し、第2のセンスセル領域6と主セル領域4とは互いに隣接して配置し、センスセル領域の全面積に対して第2のセンスセル領域6の面積を5%から30%とする。
Claim (excerpt)：
多数の主セルで構成される主セル領域を有する半導体基板の一部に電流検出用の複数個のセンスセルで構成されるセンスセル領域を形成した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、該センスセル領域を2分割し、第1のセンスセル領域が主セル領域から電気的に隔離され、第2のセンスセル領域が主セル領域と隣接して配置されることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 655 G
, H01L 29/78 657 F
