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J-GLOBAL ID：200903082843264796

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

Inventor： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  今 純一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999138756
Publication number (International publication number)：2000330284
Application date： May. 19, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高解像性及び高感度を両立させることができかつ半導体装置の製造において微細配線パターンの形成に有用な化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 保護基により保護されたアルカリ可溶性基が、酸により保護基が脱離して、当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、露光により酸を発生する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト材料において、光酸発生剤が、それと組み合わせて、特定のスルホン酸のジフェニルアミン塩、トリフェニルアミン塩、シクロヘキシルアミン塩又はジシクロヘキシルアミン塩を緩衝化合物として含んでなるように構成する。

Claim (excerpt)：

保護基により保護されたアルカリ可溶性基が、酸により保護基が脱離して、当該重合体をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を有する酸感応性重合体と、露光により酸を発生する光酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト材料において、前記光酸発生剤が、それと組み合わせて、スルホン酸のジフェニルアミン塩、トリフェニルアミン塩、シクロヘキシルアミン塩及びジシクロヘキシルアミン塩からなる群から選ばれた少なくとも1種類の有機アンモニウム塩を含んでなることを特徴とする化学増幅型レジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E

F-Term (26)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046JA04 ,  5F046JA19 ,  5F046JA22 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18