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J-GLOBAL ID：200903082847099846

金属パターンの形成方法

Inventor： 福島 基夫 ,  田部井 栄一 ,  降▲旗▼ 智欣 ,  荒川 雅弥
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999311215
Publication number (International publication number)：2001131758
Application date： Nov. 01, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】 スタンプによるパターンの転写で微細構造を作製するマイクロスタンプ法による金属パターンの形成方法であって、表面に還元性を有するケイ素系高分子薄膜を形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して基板表面に当該金属コロイドを析出させ、その後アルカンチオールを付着させたパターンをスタンプすることにより上記金属コロイド層上にパターンを転写で形成し、パターンを形成した膜を無電解メッキすることにより、アルカンチオールのパターンが形成されていないケイ素系高分子薄膜部分にのみ金属パターンを形成することを特徴とする金属パターンの形成方法。【効果】 本発明により、安価で簡便な工程により、基板の種類を選ばず、金属と基板の密着性に優れた微細金属パターン形成を得ることができ、電気、電子、通信分野に広く用い得る。

Claim (excerpt)：

スタンプによるパターンの転写で微細構造を作製するマイクロスタンプ法による金属パターンの形成方法であって、表面に還元性を有するケイ素系高分子薄膜を形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して基板表面に当該金属コロイドを析出させ、その後アルカンチオールを付着させたパターンをスタンプすることにより上記金属コロイド層上にパターンを転写で形成し、パターンを形成した膜を無電解メッキすることにより、アルカンチオールのパターンが形成されていないケイ素系高分子薄膜部分にのみ金属パターンを形成することを特徴とする金属パターンの形成方法。

IPC (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/20

FI (3)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 A ,  H05K 3/20 A

F-Term (27)：

4K022AA13 ,  4K022AA16 ,  4K022AA18 ,  4K022AA24 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA22 ,  5E343AA35 ,  5E343AA38 ,  5E343BB21 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343CC61 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343EE32 ,  5E343ER02 ,  5E343ER16 ,  5E343GG01 ,  5E343GG11