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J-GLOBAL ID：200903082851792637
半導体レーザ型光増幅器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172908
Publication number (International publication number)：1996037344
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：
【要約】【目的】 歪みによる素子の劣化がしずらく、TEモードとTMモードの利得の差の制御がしやすい半導体レーザ型光増幅器を提供する。【構成】 この発明の半導体レーザ型光増幅器では、活性層として引っ張り歪を受けている量子井戸構造を用いている。活性層は、InGaAsPまたはInGaAsのいずれか一方により形成される少なくとも1層の量子井戸層とInP単結晶基板に格子整合したInGaAsPバリア層とで構成されている。量子井戸層は上下をバリア層によりはさまれている。このとき、量子井戸層が受ける引っ張り歪は、0.2〜0.3%程度であり、量子井戸層の厚さは、約17nmである。
Claim (excerpt)：
InP単結晶基板と、該基板上に該基板と同じ導電型であり、該基板と格子整合した第1InPクラッド層と、該第1クラッド層上に活性層と、該活性層上に前記基板と異なる導電型であり、前記基板と格子整合した第2InPクラッド層とを具える半導体レーザ型光増幅器において、前記活性層は、InGaAsPまたはInGaAsのいずれか一方により形成される少なくとも1層の量子井戸層と前記基板に格子整合したInGaAsPバリア層とで構成されており、前記量子井戸層は上下を前記バリア層によりはさまれており、前記バリア層の格子定数に対する、前記量子井戸層の格子定数と前記バリア層の格子定数との差の比が2/1000〜3/1000の間の値であること、前記量子井戸層は軽い正孔のバンドが重い正孔のバンドとエネルギー的に等しいか、または上に位置するような厚さを有することを特徴とする半導体レーザ型光増幅器。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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