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J-GLOBAL ID：200903082852601029

磁気抵抗デバイス

Inventor： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  杉田 康成 ,  里見 三男 ,  川島 良男 ,  小田川 明弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098655
Publication number (International publication number)：2002299725
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来の素子では、トンネル層を超えたホットエレクトロンが少なくともベ-ス部を構成する4層以上の非磁性あるいは磁性層をバリステックに透過する必要があるために、コレクタ-電流に対するエミッタ-電流の利得が極端に悪くなる。【解決手段】 少なくとも1つの導電層と、2つのトンネル層と少なくとも2つの磁性層が積層され、トンネル層の内、少なくとも1つが、2つの磁性層に挟まれ、且つ2つの磁性層の磁化相対角の変化により、抵抗が変化するトンネル磁気抵抗層であり、且つトンネル層の内、少なくとも1つが磁化相対角の変化によらないトンネル層であることを特徴とする磁気デバイスである。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの導電層と、2つのトンネル層と少なくとも2つの磁性層が積層され、前記トンネル層の内、少なくとも1つが、2つの磁性層に挟まれ、且つ前記2つの磁性層の磁化相対角の変化により、抵抗が変化するトンネル磁気抵抗層であり、且つ前記トンネル層の内、少なくとも1つが磁化相対角の変化によらないトンネル層であることを特徴とする磁気デバイス。

IPC (6)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105

FI (6)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

F-Term (23)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5D034CA08 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40