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J-GLOBAL ID：200903082852683548

絶縁膜形成方法及びそれに用いる装置

Inventor： 宮崎 善久 ,  橋本 毅 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991309155
Publication number (International publication number)：1993144801
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、良質で同質の膜を繰り返し成膜することのできる絶縁膜形成方法およびそれに用いられる装置を提供することを目的とする。【構成】 この絶縁膜形成装置は、気相反応装置(図中実線で接続を示す)と制御系(図中破線で接続を示す)とで構成されている。気相反応装置は、気相反応を行う反応チャンバ(1)を中心に構成されており、気相反応を制御する制御系は、前述の反応チャンバ(1)内での気相反応を観測するFT-IR(6)と、気相反応によって生成される物質の量をFT-IR(6)からの信号に基づいて検出する検出器(7)、さらにその検出器(7)からの情報を処理して生成する物質の量を一定に制御する制御装置(8)とで構成されている。このため、成膜しながら随時成膜条件を制御することができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置に用いられる絶縁膜を、化学気相成長法により形成しながら原料ガスの反応を観測し、前記原料ガスの分解により生成される物質の量を検出して、前記生成される物質の量を常に一定に保ちながら成膜することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (8)：

H01L 21/31 ,  B01J 12/00 ,  C23C 14/54 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205