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J-GLOBAL ID：200903082869163068

半導体装置

Inventor： 紀之定 俊明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994075587
Publication number (International publication number)：1995283389
Application date： Apr. 14, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高歩留まりの耐熱性の良好なオーミック電極構造を実現する。【構成】 電極のInGaAs層4に対する接触面にPt薄膜6を設けてなることを特徴とする。また、電極9はInGaAs層4に接触する下層より、Pt薄膜6、高融点金属薄膜7、Au薄膜8の順に積層されてなることを特徴とする。また、高融点金属7は、Ti、W、Moのいづれか、またはそのいづれかの珪化物または窒化物であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上面にInGaAs層を形成し、該InGaAs層の上面に電極を形成する半導体装置において、前記電極の前記InGaAs層に対する接触面にPt薄膜を設けてなることを特徴とする半導体装置。