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J-GLOBAL ID：200903082878569565

ガスの導入と流れの制御方法およびその装置

Inventor： 服藤 憲司 ,  木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999300948
Publication number (International publication number)：2001118799
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 横形有機金属気相成長結晶炉において、細い幅のガス導入口より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ上において、流速分布及び原料ガス供給が空間的に一様となり、かつ流れが渦等の発生しない層流となるガスの導入と流れの制御方法を提供する。【解決手段】 細い幅のガス導入口7より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ5上において、細い幅のガス導入口7から高温のサセプタ5に至る末広がりのガス導入路8上に、ガス導入路側壁4と接触しないようにして、水平面上左右対称に流れベクトルを制御する菱形状構造物10を配置する。

Claim (excerpt)：

反応させるべき原料ガス及びこれを搬送するガスを、ガス導入口より導入し、これを化学反応を生起するに十分な高温のサセプタ上に誘導し、サセプタ上に設置したウエハー上において化学反応に由来する所望の堆積膜を堆積させることを目的とした横形有機金属気相成長結晶炉において、細い幅のガス導入口より導入されたガスが、より広い幅を有する高温のサセプタ上において、流れの速度分布及び原料ガスの供給が空間的に一様なり、かつ流れが渦等の発生しない層流となるように、細い幅のガス導入口から高温のサセプタに至る末広がりのガス導入路上に、ガス導入路側壁と接触しないようにして、水平面上左右対称に流れベクトルを制御する構造物を配置することを特徴とするガスの導入と流れの制御方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

F-Term (18)：

4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF14