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J-GLOBAL ID：200903082889934869

酸化物部分および窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法

Inventor： 田原 好文 ,  平野 能久 ,  長谷川 功宏 ,  堀岡 啓治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991296599
Publication number (International publication number)：1993247673
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Sep. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】酸化膜や窒化膜を基板に対して高選択でエッチングし、異方性を良好にすると共に、マイクロローディング効果を改善する。【構成】処理容器1内に酸化膜又は窒化膜が形成された半導体ウエハ5を装入し、処理容器1内においてCHF3 ガスのプラズマにより半導体ウエハ5の酸化膜又は窒化膜をエッチングするに際し、プラスマの雰囲気にCOガスを存在させる。

Claim (excerpt)：

処理容器内に酸化部分又は窒化部分を含む被処理体を装入する工程と、処理容器内においてハロゲン元素を含むガスのプラズマにより被処理体の酸化物部分又は窒化物部分をエッチングする工程とを具備し、前記プラズマの雰囲気に酸化数4未満の炭素(C)と酸素(O)とを含むガスを存在させることを特徴とする酸化物部分又は窒化物部分を含む被処理体のエッチング方法。

IPC (3)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  C23F 1/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-020769
  
• 特開昭62-274082
  
• 特開昭58-019476
  
• 特開昭61-247033