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J-GLOBAL ID：200903082895535186

シリコン基板の酸化方法

Inventor： 山西 良樹
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055802
Publication number (International publication number)：1995263436
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】膜厚の厚いシリコン酸化膜であって複数箇所の領域において僅かな膜厚差を有するシリコン酸化膜をシリコン基板上に正確に短時間の酸化処理工程によって得る方法の提供。【構成】次の(1) 〜(3) の工程を順に行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。(1) シリコン基板の表面に窒素イオンを2×1014cm-2以上注入する工程(2) 乾燥酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程(3) 加湿酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程

Claim (excerpt)：

次の(1) 〜(3) の工程を順に行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。(1) シリコン基板の表面に窒素イオンを2×1014cm-2以上注入する工程(2) 乾燥酸化囲気中でシリコン基板を加熱する工程(3) 加湿酸化雰囲気中でシリコン基板を加熱する工程

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A