Pat
J-GLOBAL ID:200903082898192719
自己整合型銅キャップ拡散障壁形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001278199
Publication number (International publication number):2002164351
Application date: Sep. 13, 2001
Publication date: Jun. 07, 2002
Summary:
【要約】【課題】 自己整合されたアルミニウム障壁(124)を有する銅相互接続を提供する。【解決手段】 銅相互接続ライン(118)を形成した後で、アルミニウム(124)が銅相互接続ライン(118)の表面に選択的に堆積されるが、IMD(108)の上には堆積されない。アルミニウム障壁(124)はアルミニウム酸化物またはアルミニウム窒化物に変換することもできる。
Claim (excerpt):
集積回路を形成する方法であって:半導体母体を覆って銅構造を形成する工程;前記銅構造を覆ってアルミニウムを含む層を選択的に堆積して、前記銅構造用の障壁層を形成する工程;を含む方法。
IPC (2):
H01L 21/3205
, C23C 16/06
FI (3):
C23C 16/06
, H01L 21/88 M
, H01L 21/88 N
F-Term (37):
4K030BA02
, 4K030BB14
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030LA15
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033JJ11
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033MM02
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP02
, 5F033PP07
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ48
, 5F033QQ76
, 5F033QQ78
, 5F033QQ82
, 5F033QQ89
, 5F033QQ94
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR11
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033SS04
, 5F033XX24
, 5F033XX28
, 5F033XX31
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