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J-GLOBAL ID：200903082900886510

薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置

Inventor：
神野 優志

About 神野 優志


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998231035
Publication number (International publication number)：2000058852
Application date： Aug. 17, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 駆動条件の異なるTFTの閾値電圧を、水素含有絶縁膜の厚みを異ならせることにより制御することができるTFT、及びそれを備えた表示装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板10上に、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、能動層である多結晶シリコン膜14、SiO2膜19、SiN膜20、SiO2膜21を積層した表示画素領域のTFT及び周辺駆動回路領域のTFTの閾値電圧を、水素を含有した絶縁膜であるSiN膜20の厚みを異ならせて制御する。
Claim (excerpt)：
チャネルを備えた半導体膜及び少なくとも該チャネルの直上または上方に水素含有絶縁膜を備えた薄膜トランジスタにおいて、特性の異なる薄膜トランジスタの前記水素含有絶縁膜の厚みが異なっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (3)：
H01L 29/78 627 E ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A
F-Term (34)：
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB42 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA24 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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