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J-GLOBAL ID：200903082901655881

合成ガス製造方法および合成ガス製造装置

Inventor： 出水 祐三 ,  中村 修 ,  磯田 武志
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997117640
Publication number (International publication number)：1998291803
Application date： Apr. 21, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】合成ガスの製造コストを低減し、固形炭素の析出を抑制して安定的に、かつ安全な運転ができる合成ガス製造方法および合成ガス製造装置を提供すること。【解決手段】炭化水素および/または酸素を含む炭化水素と水蒸気とから合成ガスを製造する反応を、合成ガス製造用触媒の存在下に、酸素と共に2以上の反応工程で連続して行い、いずれの反応工程においても、その反応領域内の酸素濃度を、爆発下限界の酸素濃度未満になるように調節し、最下流の反応工程で得た生成ガスが、炭化水素および/または酸素を含む炭化水素を実質的に含まないことを特徴とする合成ガス製造方法。および合成ガス製造装置。

Claim (excerpt)：

炭化水素および/または酸素を含む炭化水素、水蒸気および酸素とを反応させる際に、酸素濃度が爆発下限界を超える合成ガス製造方法であって、(A)該反応を、合成ガス製造用触媒の存在下に、連通した少なくとも2以上の反応工程で行い、(B)各反応工程で、当該反応工程の反応領域内が爆発下限界の酸素濃度未満になるように調節して、部分酸化反応と水蒸気改質反応とを同時に行い(C)最下流の反応工程で得た生成ガスが、炭化水素および/または酸素を含む炭化水素を実質的に含まないことを特徴とする合成ガス製造方法。

IPC (4)：

C01B 3/38 ,  B01J 19/00 ,  C10G 11/20 ,  C10J 3/46

FI (4)：

C01B 3/38 ,  B01J 19/00 E ,  C10G 11/20 ,  C10J 3/46 Z